BPY 64 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions i...
BPY 64 P
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
BPY 64 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Weiter Temperaturbereich Anwendungen
q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm q Cathode = back contact q Coated with a humidity-proof protective layer q Wide temperature range Applications
q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the
Licht- und nahen Infrarotbereich
visible light and near infrared range
Typ Type BPY 64 P
Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y67
Semiconductor Group
197
10.95
fso06636
BPY 64 P
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse
voltage Symbol Symbol Wert Value − 55 ... + 100 1 Einheit Unit °C V
Top; Tstg VR
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range...