Q60215-Y67

BPY 64 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Weiter Temperaturbereich Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm q Cathode = back contact q Coated with a humidity-proof protective layer q Wide temperature range Applications q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the Licht- und nahen Infrarotbereich visible light and near infrared range Typ Type BPY 64 P Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y67 Semiconductor Group 197 10.95 fso06636 BPY 64 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value − 55 ... + 100 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range...