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Q60215-Y111-S4 Datasheet

Part Number Q60215-Y111-S4
Manufacturers Siemens Semiconductor Group
Logo Siemens Semiconductor Group
Description Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Datasheet Q60215-Y111-S4 DatasheetQ60215-Y111-S4 Datasheet (PDF)

BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotb.

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Part Number Q60215-Y111-S5
Manufacturers Siemens Semiconductor Group
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Description Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Datasheet Q60215-Y111-S4 DatasheetQ60215-Y111-S5 Datasheet (PDF)

BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotb.

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Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell

BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich Typ Type BPY 11 P IV BPY 11 P V Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm q Cathode = back contact q Coated with a humidity-proof protective layer q Binned by spectral sensitivity Applications q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Semiconductor Group 183 10.95 fso06032 BPY 11 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 100 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit .


2005-04-16 : LA5603    MLED930    M38198    BU2527A    F4500    ES07D    FDI047AN08A0    FMMT2484    FQP90N10V2    FQPF90N10V2   


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