IGBT
IGBT Module-Dual
200A,600V
QS043-402-20392(2/5)
PDMB200E6
□ : CIRCUIT
(C2E1) 1
(E2) 2
7(G2) 6(E2) (C1) 3 5(E1) ...
Description
IGBT Module-Dual
200A,600V
QS043-402-20392(2/5)
PDMB200E6
□ : CIRCUIT
(C2E1) 1
(E2) 2
7(G2) 6(E2) (C1) 3 5(E1) 4(G1)
□ : OUTLINE DRAWING
94.0 80 ±0.25 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5 7 6
4 18.0 4
48.0 16.0 14.0
3-M5
23.0
5 4 23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab #110 t=0.5
+1.0 - 0 .5
0
LABEL
7 21.2 7.5
3
Dimension:[mm]
□ : MAXIMUM RATINGS (TC=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ Collector-Emitter Voltage
VCES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Gate-Emitter Voltage
VGES
コレク Collector
コレク Collector
タ Current
タ Power Dissipation
DC 1ms
IC ICP
PC
Junction Temperature Range
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
(Terminal to Base AC,1minute) Isolation Voltage
VISO
め け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
Ftor
Rated Value 600
±20 200 400 780
-40~+150
-40~+125
2,500 3(30.6) 2(20.4)
Unit V V
A
W
℃
℃
V(RMS) N・m (kgf・cm)
□ : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ Collector-Emitter Cut-Off Current
ICES
VCE= 600V, VGE= 0V
- - 1.0 mA
ゲートれ Gate-Emitter Leakage Current
IGES
VGE= ±20V,VCE= 0V
- - 1.0 μA
コレクタ・エミッタ Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC= 200A,VGE= 15V
-
2.1 2.6
V
ゲ ー ト しきい Gate-Emitter Threshold Voltage
VGE(th)
VCE= 5V,IC= 200mA
4.0
-
8.0
V
Input Capacitance
Cies
VCE= 10V,VGE= 0V,f= 1MHZ
-
10,000
-
pF
スイッチング Switching Time
ターンオン ターンオフ
Rise Time Turn-on Time Fall Time Turn-off Time
tr ton tf toff
VCC= ...
Similar Datasheet