NTE2931 MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO3PML Type Package
Features: D Avalanche Rugged Technolog...
NTE2931
MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch TO3PML Type Package
Features: D Avalanche Rugged Technology D Rugged Gate Oxide Technology D Lower Input Capacitance D Improved Gate Charge D Extended Safe Operating Area D Lower RDS(on): 0.1443 Typ D Lower Leakage Current: 105 A (Max) @ VDS = 200V
D
G S
Absolute Maximum Ratings:
Drain−to−Source
Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V Drain CCuornretinntu, oIDus
PulsTTeCCd==(N++o21t50e50C15C).
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12.8A . 8.1A . . 80A
Total
PDowerearteDiAsbsiopvaetio2n55(CTC.
= ..
+255C), .......
.P.D.
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. . . . 73W 0.59W/5C
Gate−Source
Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . ....