NTE2922 MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO3P Type Package
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive...
NTE2922
MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO3P Type Package
Features: D Dynamic dv/dt Rating D Repetitive Avalanche Rated D Isolated Central Mounting Hole D Fast Switching D Ease of Paralleling D Simple Drive Requirements
G
D S
Absolute Maximum Ratings:
Continuous
TTCC
= =
Drain Current +25C . . . . . . +100C . . . . .
.(V. .G.S. .....
= .. ..
10V), ..... .....
.ID. . ...
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16A 10A
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64A
Power Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180W
Gate−to−Source
Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 390mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)...