MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary Power Transistors
For Isolated Package Applications
. . ...
MJF44H11 (NPN), MJF45H11 (PNP)
Preferred Devices
Complementary Power Transistors
For Isolated Package Applications
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power
amplifiers.
http://onsemi.com
Low Collector-Emitter Saturation
Voltage Fast Switching Speeds Complementary Pairs Simplifies Designs
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS 36 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VEB IC Value 80 5 Unit Vdc Vdc Adc Collector-Emitter
Voltage Emitter-Base
Voltage Collector Current - Continuous - Peak Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Total Power Dissipation @ TA = 25°C Derate above 25°C 10 20 PD 36 1.67 Watts W/°C Watts W/°C °C PD 2.0 0.016 Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg - 55 to 150
MAXIMUM RATINGS
MARKING DIAGRAM
1
STYLE 2: PIN 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
F4xH11 LLYWW
2
3
ISOLATED TO-220 CASE 221D PLASTIC F4xH11 x LL Y WW = Specific Devi...