MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJE4343/D
High-Voltage Ċ High Power Transistors
. . . de...
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MJE4343/D
High-
Voltage Ċ High Power Transistors
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high
voltage switching regulator circuits. High Collector–Emitter Sustaining
Voltage — NPN PNP VCEO(sus) = 160 Vdc — MJE4343 MJE4353 High DC Current Gain — @ IC = 8.0 Adc hFE = 35 (Typ) Low Collector–Emitter Saturation
Voltage — VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 8.0 Adc MAXIMUM RATINGS
MJE4343 MJE4353
16 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 160 VOLTS
NPN PNP
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Max 160 160 7.0 16 20 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector–Emitter
Voltage Collector–Base
Voltage Emitter–Base
Voltage Collector Current — Continuous Peak (1) Base Current — Continuous 5.0 Total Power Dissipation @ TC = 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 125 Watts TJ, Tstg – 65 to + 150
CASE 340D–02 TO–218 TYPE
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol RθJC
Max 1.0
Unit
Thermal Resist...