DatasheetsPDF.com

MJF31C Datasheet

Part Number MJF31C
Manufacturers ON
Logo ON
Description 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS
Datasheet MJF31C DatasheetMJF31C Datasheet (PDF)

MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP) *Preferred Devices Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. http://onsemi.com • Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage – VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS • High Current Gain – Bandwidth Product fT = 3.0 MHz (.

  MJF31C   MJF31C






3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS

MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP) *Preferred Devices Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package Applications Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. http://onsemi.com • Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage – VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) 3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS • High Current Gain – Bandwidth Product fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ MAXIMUM RATINGS Rating Symbol VCEO VCB VEB IC MJF31C MJF32C 100 100 5.0 3.0 5.0 1.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current Continuous Peak Base Current IB Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C PD 28 0.22 Watts W/_C Watts W/_C mJ _C PD 2.0 0.016 32 Unclamped Inductive Load Energy (Note 1) E Operating and Storage Junction Temp.


2005-05-07 : MJ11021    MJ11021    MJ11021    MJ11022    MJ11022    MJ11028    MJ11028    MJ11028    MJ11029    MJ11029   


@ 2014 :: Datasheetspdf.com ::
Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)