MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP)
*Preferred Devices
Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package Applications
Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
http://onsemi.com
• Collector–Emitter Saturation Voltage –
VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage –
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
• High Current Gain – Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (.
3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS
MJF31C* (NPN), MJF32C* (PNP)
*Preferred Devices
Complementary Silicon Plastic Power Transistors for Isolated Package Applications
Designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
http://onsemi.com
• Collector–Emitter Saturation Voltage –
VCE(sat) = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage –
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
3.0 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 28 WATTS
• High Current Gain – Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC MJF31C MJF32C 100 100 5.0 3.0 5.0 1.0 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current Continuous Peak Base Current IB Adc Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total Power Dissipation @ TA = 25_C Derate above 25_C PD 28 0.22 Watts W/_C Watts W/_C mJ _C PD 2.0 0.016 32 Unclamped Inductive Load Energy (Note 1) E Operating and Storage Junction Temp.