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LPT80

Siemens Semiconductor

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 ...


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Description
LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A 16.51 16.00 1.52 2.54mm spacing 5.84 5.59 1.52 1.29 1.14 4.57 4.32 2.54 2.03 2.34 2.08 Collector 1.52 Plastic marking 1.70 1.45 GEO06391 0.64 0.46 0.64 0.46 R = 0.76 feo06391 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm q Sidelooker im Kunststoffgehäuse q Hohe Empfindlichkeit q Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A Anwendungen q Fertigungs- und Kontrollanwendungen der Industrie q Lichtschranken Typ Type LPT 80 A Bestellnummer Ordering Code Q68000-A7852 Gehäuse Package Features q Especially suitable for applications from 470 nm to 1080 nm q Sidelooker in plastic package q High sensitivity q Matches IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A Applications q A variety of manufacturing and monitoring applications q Photointerrupters Klares Kunststoffgehäuse, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichnung: Längerer Lötspieß Clear plastic miniature package, 2.54 mm (1/10”) lead spacing, collector marking: long solder lead Semiconductor Group 1 1998-11-16 LPT 80 A Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ =10 µs Collector surge current Emitter-Kollektorspann...




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