KT816

КТ816 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототип КТ816Б – BD234 Прототип КТ816В – BD236 Прототип КТ816Г – BD238 Особенности Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 150°C Комплиментарная пара – КТ817 Обозначение технических условий аАО. 336.186 ТУ / 02 Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ816А9, Б9, В9, Г9 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 КТ-27 КТ-89 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение колл-эмит КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Iкбо Iкэr h21э Uкэ нас Ед. изм. Режимы измеpения Min B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс 25 45 60 80 мкА Uкэ=40 В - Uкэ=45 В - Uкэ=60 В - Uкэ=100 В - мкА Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм - Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=100В,...