KP707B2

КП707В2 Мощный полевой транзистор Типовые применения следующие: импульсные источники питания, совместно с ИМС КР1033ЕУ5А1 Основные характеристики Высокие динамические характеристики Рабочая температура кристалла 150° C Низкое сопротивление во включенном состоянии Низкая мощность управления Высокое коммутируемое напряжение Расположение выводов 1 Затвор 2 Сток 3 Исток Максимально допустимые значения Параметр ID@TС=25° C Постоянный ток стока ID@TС=70° C Постоянный ток стока IDМ Импульсный ток стока (1) Макс 3.5 2.5 6:-9 50 Единицы измерения А А А Вт Вт/° C В мДж А мДж РD@TС=25° C Рассеиваемая мощность Линейное снижение мощности рассеивания от температуры 2 VGS ЕAR IAR ЕАR Напряжение затвор-исток Энергия пробоя одиночным импульсом (2) Ток лавинного пробоя (1) Энергия пробоя повторяющимися импульсами (1) Скорость нарастания напряжения на закрытом диоде (3) Диапазон температур функционирования www.DataSheet4U.com +-20 4 - dv/dt ТJ 2.5 В/нс www.DataSheet4U.com -55 -+ 150 ° C www.DataSheet4U.com TSTG и хранения прибора Температура пайки при времени менее 10 сек. 300 ° C Тепловое сопротивление Параметр RJC Тепловое сопротивление кристалл-корпус RCS RJA Корпус-теплоотвод Мин. Тип. Макс. Ед.изм. ---2.5 ° C/Вт ° C/Вт ° C/Вт 0.50 --62 Тепловое сопротивление кристалл-окр.среда -- Электрические характеристики TJ=25° C (если не указано другое) Параметр V(BR)DSS Максимальное напряжение сток-исток Температурный коэффициент V(BR)DSS/TJ максимального напряжения RDS(ON)...