Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum ra...
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter
voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
Tc= 80°C Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak
voltage
Dauergleichstrom DC forward current
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung insulation test
voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min:
VCES IC, nom
IC ICRM Ptot VGES
IF IFRM
I²t
VISOL
1200 75 105 150 350 +20 75 150
1200 2,5
V A A A W V A A A²s kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation
voltage
IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung gate threshold
voltage
IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°...