FP75R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP75R12KE3 Vorläufige Daten Preliminary data Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output www.DataSheet4U.com Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM I RMSmax TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Id I FSM I t 2 1600 t.b.d. 75 500 400 1250 800 V A A A A As 2 As 2 Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I 2t - value Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 75 105 150 350 +/- 20V V A A A W V Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF I FRM I t 2 75 150 1.190 A A As 2 Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-S...