FP10R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP10R12KE3 Vorläufig Preliminary Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output T vj =25°C T C =80°C T C =80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM I2t 1600 25 36 196 158 192 125 V A A A A A2s A2s www.DataSheet4U.com Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C I2t - value Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value T vj =25°C T C = 80°C T C = 25 °C tP = 1 ms, T C = 25°C T C =80°C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 1200 10 15 20 55 +/- 20V V A A A W V IF tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, T vj = 125°C IFRM I2t 10 20 20 A A A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brak...