EMD50N15G

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  150V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  7A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.2mH, ID=7A, RG=25Ω  L = 0.1mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VDSS  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction tem...