EMD12N10E

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  11.5mΩ  ID  95A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD12N10E LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±30  95  67  280  90  405  202  166  66  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=50V, L=0.1mH, VG=10V, IL=60A, Rated VDS=100V N-CH  THERMAL RESISTANCE...