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EMD04N06F Datasheet

Part Number EMD04N06F
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMD04N06F DatasheetEMD04N06F Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  5mΩ  ID  75A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06F LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  .

  EMD04N06F   EMD04N06F






Part Number EMD04N06H
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMD04N06F DatasheetEMD04N06H Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  5mΩ  ID  75A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  .

  EMD04N06F   EMD04N06F







Part Number EMD04N06FN
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMD04N06F DatasheetEMD04N06FN Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  5mΩ  ID  75A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06FN LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2 .

  EMD04N06F   EMD04N06F







Part Number EMD04N06E
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Description MOSFET
Datasheet EMD04N06F DatasheetEMD04N06E Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  4.8mΩ  ID  155A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06E LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Ener.

  EMD04N06F   EMD04N06F







Part Number EMD04N06A
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Description MOSFET
Datasheet EMD04N06F DatasheetEMD04N06A Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  4.8mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1,3  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energ.

  EMD04N06F   EMD04N06F







MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  5mΩ  ID  75A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N06F LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=70A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  75  45  160  70  245  122  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH  THERMAL RESISTANCE RATIN.


2017-04-26 : EMZBB0N10J    EMB26N10G    EMB12N04G    S29C51001T    S29C51001B    MS7212-A2    MS721    MS7212    EMBE0N10Q    EMD04N04E   


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