EMD04N04H

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  40V  D RDSON (MAX.)  4mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD04N04H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=80A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±30  80  48  160  80  320  160  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=20V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=40V N-CH  THERMAL RESISTANCE RATIN...