DatasheetsPDF.com

EMD03N90E Datasheet

Part Number EMD03N90E
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD03N90E DatasheetEMD03N90E Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  900V  D RDSON (MAX.)  4Ω  ID  3.5A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=3A, RG=25Ω  L = .

  EMD03N90E   EMD03N90E






Part Number EMD03N90F
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD03N90E DatasheetEMD03N90F Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  900V  D RDSON (MAX.)  4Ω  ID  3.5A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=3A, RG=25Ω  L = .

  EMD03N90E   EMD03N90E







MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  900V  D RDSON (MAX.)  4Ω  ID  3.5A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=3A, RG=25Ω  L = 0.5mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%    .


2017-04-25 : EMDJ0N20Q    EMBJ0N25Q    EMDJ0N25Q    EMF20N02J    EMF30N02J    EMB27N03J    EMB32N03J    EMB55N03J    EMB80N03J    EMF50N03J   


@ 2014 :: Datasheetspdf.com ::
Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)