EMBE0N10JS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  500mΩ  ID  0.9A  G   UIS 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  EMBE0N10JS LIMITS  ±20  0.9  0.55  3.6  1.04  0.66  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Ambient3  RJA (T ≤ 10sec) RJA (Steady State) 1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  3The device mounted on a 1 in2 pad o...