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EMBE0A10G Datasheet

Part Number EMBE0A10G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMBE0A10G DatasheetEMBE0A10G Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  500mΩ  ID  1.5A    UIS 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  VGS  ID  IDM  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature R.

  EMBE0A10G   EMBE0A10G






MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  500mΩ  ID  1.5A    UIS 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  VGS  ID  IDM  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  EMBE0A10G LIMITS  ±20  1.5  0.9  6  2  0.8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz co.


2017-04-26 : EMZBB0N10J    EMB26N10G    EMB12N04G    S29C51001T    S29C51001B    MS7212-A2    MS721    MS7212    EMBE0N10Q    EMD04N04E   


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