EMBA3P03JS

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  125mΩ  ID  ‐3.1A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Ambient3  RJA (T ≤ 10sec) RJA (Steady State) 1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.            2015/7/15  EMBA3P03JS LIMITS  ±20  ‐3.1  ‐2.1  ...