DatasheetsPDF.com

EMB50P03J Datasheet

Part Number EMB50P03J
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB50P03J DatasheetEMB50P03J Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  ‐4.5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RES.

  EMB50P03J   EMB50P03J






Part Number EMB50P03VAT
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB50P03J DatasheetEMB50P03VAT Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  ‐4.5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Bottom View S DD SD GD D PIN 1 SYMBOL  EMB50P03VAT LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operat.

  EMB50P03J   EMB50P03J







Part Number EMB50P03K
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB50P03J DatasheetEMB50P03K Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  ‐5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTA.

  EMB50P03J   EMB50P03J







Part Number EMB50P03JS
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB50P03J DatasheetEMB50P03JS Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  ‐4.5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RES.

  EMB50P03J   EMB50P03J







Part Number EMB50P03G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB50P03J DatasheetEMB50P03G Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  60mΩ  ID  ‐6A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESIS.

  EMB50P03J   EMB50P03J







MOSFET

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  50mΩ  ID  ‐4.5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%              2012/11/26    EMB50P03J LIMITS  ±20  ‐4.5  ‐3.5  ‐18  1.25  0.83  ‐55 to 150  UNIT  V  A  W  °C  MAXIMUM  100  UNIT  °C /.


2017-04-26 : EMZBB0N10J    EMB26N10G    EMB12N04G    S29C51001T    S29C51001B    MS7212-A2    MS721    MS7212    EMBE0N10Q    EMD04N04E   


@ 2014 :: Datasheetspdf.com ::
Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)