EMB25A06S

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.)  30mΩ  ID  7A    UIS, 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  Avalanche Current  IAS  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.05mH  EAS  EAR  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7A, Rated VDS=60V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse...