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EMB12P04F Datasheet

Part Number EMB12P04F
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMB12P04F DatasheetEMB12P04F Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐40V  D RDSON (MAX.)  12.6mΩ  ID  ‐25A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=‐25A,.

  EMB12P04F   EMB12P04F






Part Number EMB12P04V
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMB12P04F DatasheetEMB12P04V Datasheet (PDF)

P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: D BVDSS ‐40V RDSON (MAX.) 12.6mΩ ID ‐22A G UIS, Rg 100% Tested S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Gate‐Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current1 TC = 25 °C TC = 100 °C Avalanche Current Avalanche Energy Repetitive Avalanche Energy2 L = 0.1mH, ID=‐18A, RG=25Ω L = 0.05mH Power Dissi.

  EMB12P04F   EMB12P04F







Part Number EMB12P04A
Manufacturers Excelliance MOS
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Description MOSFET
Datasheet EMB12P04F DatasheetEMB12P04A Datasheet (PDF)

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐40V  D RDSON (MAX.)  12.6mΩ  ID  ‐25A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=‐25A,.

  EMB12P04F   EMB12P04F







MOSFET

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐40V  D RDSON (MAX.)  12.6mΩ  ID  ‐25A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=‐25A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Dut.


2017-04-26 : EMZBB0N10J    EMB26N10G    EMB12N04G    S29C51001T    S29C51001B    MS7212-A2    MS721    MS7212    EMBE0N10Q    EMD04N04E   


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