EMB12P03H

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)  12mΩ  ID  ‐50A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐20A, RG=25Ω Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  PD  Tj, Tstg  EMB12P03H LIMITS  ±20  ‐50  ‐36  ‐120  ‐20  20  50  20  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width lim...