EMB12K03V

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  RDSON (MAX.)  30V  12mΩ  30V  17mΩ  ID  12A  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB12K03V LIMITS  Q1  Q2  ±20  ±20  12  10  8.5  7  48  40  12  12  7.2  7.2  3.6  3.6  2.00  2.00  0.8  0.8  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  ...