BP103B

BP 103 B BP 103 BF . NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm (BP 103 B) und bei 880 nm (BP 103 BF) q Hohe Linearität q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (BP 103 B) and of 880 nm (BP 103 BF) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Computer-controlled flashes q Light-reflecting switches for steady and varying intensity q Industrial electronics q For control and drive circuits Semiconductor Group 204 BP 103 B BP 103 BF Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code BP 103 B-2 (*SFH 300-2) BP 103 B-3 (*SFH 300-3) BP 103 B-41) (*SFH 300-4) BP 103 BF-2 (*SFH 300 FA-2) BP 103 BF-3 (*SFH 300 FA-3) BP 103 BF-4 (*SFH 300 FA-4) 1) Gehäuse Package T13/4, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10”), Kollektorkennzeichung: kürzerer Lötspieβ, flach am Gehäuseboden T13/4, transparent and black epoxy resin lens, solder tabs 2.54 mm (1/10”) lead sp...