ON Semiconductort
Silicon NPN High-Power Transistor
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching ap...
ON Semiconductort
Silicon NPN High-Power Transistor
. . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications.
2N5882
ON Semiconductor Preferred Device
Collector–Emitter Sustaining
Voltage —
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc www.DataSheet4U.com Low Collector — Emitter Saturation
Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc High Current — Gain–Bandwidth Product — fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc
MAXIMUM RATINGS (1)
Collector–Emitter
Voltage Collector–Base
Voltage Emitter–Base
Voltage
15 AMPERE SILICON POWER TRANSISTOR 80 VOLTS 160 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Max 80 80 15 30 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc 5.0 Collector Current — Continuous Peak Base Current 5.0 Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 160 0.915 Watts W/_C _C TJ, Tstg –65 to +200
CASE 1–07 TO–204AA (TO–3)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol θJC
Max 1.1
Unit
Thermal Resistan...