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FP30R06W1E3

Infineon
Part Number FP30R06W1E3
Manufacturer Infineon
Description IGBT-Module
Published Mar 13, 2016
Detailed Description TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3 EasyPIM™ModulmitTrench/Feldsto...
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FP30R06W1E3
FP30R06W1E3

Overview
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3 EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 600V IC nom = 30A / ICRM = 60A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • NiedrigesVCEsat MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • LowVCEsat MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • SolderContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK approvedby:MB ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2013-10-03 revision:2.
1 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDat...


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