AF178
Typ tranzystora: tranzystor germanowy
Firma: TELEFUNKEN
Wykonanie: tranzystor germanowy stopowo-dyfuzyjny p-n-p w obudowie metalowej TO-5, ekran S połączony z obudową, ciężar max 1,5 G
Zastosowanie: stopnie wejściowe, mieszające i generacyjne do 220 MHz
Typy podobne: AF106 (Siem)
C §1
I
£
r1
5,08 £6 >-mim'3-' [kranSjest połączony zobudawq
Rys. 1-152. AF178
Wartości charakterystyczne"
~IcB0 ~IcB0 -UBE
— UcBO — Uebo fr >*2U F
Cl2e 1*121. 1 GP Rel^ubl tab'ufci Clib \yi2b! 21b Reb22fti
^22b
min typ
220
25 0,5
180 20
6
max 10 50
360 50
7,5
-0,8 10
10 13 30
-15 — 12
0,4 -90
252) 90 0,3 2,3
1,8
jxA [J. A mV jxA V V MHz
dB
PF n dB
mS mS PF mS
O
mOS
mS mS PF
przy -UCB = 12 V przy -UCB = 25 V przy -UCB = 12 V, ~IC = 1 mA przy -UCB = 12 V, - I c = 1 mA przy - / c = 50 [xA
przy IE = 50 jaA przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA, / = przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA,
Rg = 30 O, / = 200 MHz przy -UCE= 12 V, —Ic = 1 m A , / = przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA, / = 2 przy -UCB= 12 V, - J c = 1 m A , / =
» tamb = 25"C
2> - UCB = 12 V, TE = 1 m A , / = 200 M H z
Uc -UJEFBO max ~JC max -In
Wartości graniczne
2 5 V xptot max
0,5 V
0 max
10
mA
n -"rft
j—a
max
1 mA fstg
1 mA
m tnF Hh
AF178
753> 75 0,6 —55-t- + 75
mW
°C °C/mW
°C
\lOkSi i *mv
f 0-/2V
Rys. 1-153. Układ pomiarowy wzmocnienia mocy
Rezystancję R należy tak dobrać, aby całkowita rezystancja rezonansowa wynosiła 2 kil. 3> tumb = 45°C
Rys. 1-154. Charakterystyka wejściowa
0
5
-UCE M
10
Rys. 1-155. Charakterystyka wyjściowa
AF111171811 r
--lUcBcBOo==fp(toarmabm)etr-
-UCt=25/V
w?
7
->c\AF/78
M -Ucc=3V tamt,=25°C~.
-H-ł
/ UC[-3V
7
WWaarrttoośśćciśgrreadnniicazne
6010 SO TAMI, ['C] 100
Rys. 1-156. Zależność prądu zerowego kolektora od temperatury otoczenia
50
Rys. 1-157. Charakterystyka sterowania prądowego
Rys. 1-158. Charakterystyka admitancji wejściowej na płaszczyźnie współrzędnych zes-
polonych
Rys. 1-159. Charakterystyka admitancji zwrotnej na płaszcz...
AF178 PDF File
