DatasheetsPDF.com

EMB06N03H

Excelliance MOS
Part Number EMB06N03H
Manufacturer Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Published Sep 8, 2015
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  6....
Datasheet PDF File EMB06N03H PDF File

EMB06N03H
EMB06N03H


Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  6.
5mΩ  ID  75A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB06N03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  75  45  160  Avalanche Current  IAS  53  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=53A, RG=25Ω L = 0.
05mH  EAS  EAR  140  40  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  60  32  ‐55 to 175  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.
1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  V  A  mJ  W  °C  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.
  2Duty cycle  1％  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
          2.
5  °C / W  50  2009/6/8  p.
1    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB06N03H LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 30A  VGS = 4.
5V, ID = 24A  VDS = 5V, ID = 24A  DYNAMIC  30      V  1  1.
5 3      ±100 nA     1  A     25  75      A    5.
5 6.
5  mΩ   8.
8 11    25   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Ciss      Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    Reverse Transfer Capacita...


Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)