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SFH485P

Siemens Semiconductor Group
Part Number SFH485P
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
Published May 20, 2005
Detailed Description GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0...
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SFH485P
SFH485P

Overview
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.
6 0.
4 2.
54 mm spacing 0.
8 0.
4 5.
0 4.
2 Cathode 3.
85 3.
35 ø5.
1 ø4.
8 5.
9 5.
5 1.
8 1.
2 29 27 1.
0 0.
5 Chip position 0.
6 0.
4 fex06306 GEX06306 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 217 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy proces...


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