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NTE5967

Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp - NTE Electronics

NTE5967 PDF File

Description

NTE5962 & NTE5963 NTE5966 & NTE5967 Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp Features: D 25 Amp @ TC = +100°C D 300 Amp Surge Capability D Rugged Construction D Available in Standard (NTE5962, NTE5966) and Reverse (NTE5963, NTE5967) Polarity Absolute Maximum Ratings: Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM NTE5962, NTE5963* .
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400V NTE5966, NTE5967* .
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800V Working Peak Reverse Voltage, VRWM NTE5962, NTE5963* .
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400V NTE5966, NTE5967* .
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800V DC Blocking Voltage, VB NTE5962, NTE5963* .
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400V NTE5966, NTE5967* .
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800V RMS Reverse Voltage, VR(RMS) NTE5962, NTE5963* .
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280V NTE5966, NTE5967* .
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560V Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, 60Hz, TC = +150°C), IO .
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25A Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), IFSM .
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300A Operating Junction Temperature Range, TJ .
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–65° to +175°C Storage Temperature Range, Tstg .
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–65° to +175°C Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC .
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