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Q60215-Y65

Siemens Semiconductor Group
Part Number Q60215-Y65
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell
Published Apr 16, 2005
Detailed Description BPY 48 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 48 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions i...
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Q60215-Y65
Q60215-Y65

Overview
BPY 48 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 48 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Weiter Temperaturbereich Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich 420 nm to 1060 nm q Cathode = back contact q Coated with a humidity-proof protective layer q Wide temperature range Applications q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Typ Type BPY 48 P Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y65 fso06634 BPY 48 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value – 55 .
.
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+ 100 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max.
Fotoempfindlichkeit Wavelength of max.
sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Symbol Symbol Wert Value 0.
5 (≥ 0.
35) 850 420 .
.
.
1060 Einheit Unit µA/Ix nm nm S λS max λ S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessungen der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit c...


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