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Q60215-Y62

Siemens Semiconductor Group
Part Number Q60215-Y62
Manufacturer Siemens Semiconductor Group
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Published Apr 16, 2005
Detailed Description BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensi...
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Q60215-Y62
Q60215-Y62

Overview
BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) 420 nm to 1130 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und with base connection suitable up to 125 °C q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BPY 62 BPY 62-2 BPY 62-3 BPY 62-4 BPY 62-5 1) 1) Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y62 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 1) Q62702-P1113 Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group 238 10.
95 fmof6019 BPY 62 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation ...


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