IGBT - eupec
Description
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
DF300R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
Tc= 80°C Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom DC forward current
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES IC, nom
IC ICRM Ptot VGES
IF IFRM I²t VISOL
1200 300 480 600 1470 +/- 20 300 600 19 2,5
V A A A W V A A k A²s kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung gate threshold voltage
IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung gate charge
VGE = -15V.
.
.
+15V
Eingangskapazität input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
min.
typ.
max.
VCEsat
-
1,7 2,15
V
2,0
-
V
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
V
QG
-
2,8
-
µC
Cies
-
21
-
nF
Cres
-
0,85
-
nF
ICES
-
-
5
mA
IGES
-
-
400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-02 revision: 3.
0
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DB_DF300R12KE3_3.
0 2002-10-02
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
DF3...
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