IGBT - Infineon
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F3L200R07PE4
EconoPACK™4ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPACK™4modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen
ElektrischeEigenschaften • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • HohemechanischeRobustheit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • IsolierteBodenplatte • Standardgehäuse
VCES = 650V IC nom = 200A / ICRM = 400A
TypicalApplications • 3-Level-Applications
ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • ExtendedOperationTemperatureTvjop • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanicalFeatures • 4kVAC1minInsulation • Highmechanicalrobustness • IntegratedNTCtemperaturesensor • IsolatedBasePlate • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:AS approvedby:MK
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-11-05 revision:2.
0
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F3L200R07PE4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gat...
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