IGBT - Infineon
Description
F3L200R12N2H3_B47
EconoPACK™2Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundNTC EconoPACK™2modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandNTC
PotentielleAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • Lötverbindungstechnik • RoHSkonform
VCES = 1200V IC nom = 150A / ICRM = 300A
PotentialApplications • 3-level-applications • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems
ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Lowswitchinglosses • Tvjop=150°C
MechanicalFeatures • 2.
5kVAC1mininsulation • Soldercontacttechnology • RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.
infineon.
com
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V3.
0 2018-06-29
F3L200R12N2H3_B47
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES ICN ICDC ICRM VGES
1200 200 150 400 +/-20
V A A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 150 A VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 350 V
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