IGBT - Infineon
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A
TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications • UPSSystems
ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • Lowinductivedesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK approvedby:MB
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-11-05 revision:2.
1
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F3L150R07W2E3_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 25°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
...
Similar Datasheet
- F3L150R07W2E3_B11 IGBT - Infineon
