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FP30R06W1E3_B11

Part Number	FP30R06W1E3_B11
Manufacturer	Infineon
Description	IGBT
Published	Jun 10, 2020
Detailed Description	TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 EasyPIM™ModulmitTrench/Fel...
Datasheet	FP30R06W1E3_B11 PDF File

Overview

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 600V IC nom = 30A / ICRM = 60A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern TypicalApplications • AuxiliaryInverters • AirConditioning • MotorDrives ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK approvedby:MB ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2013-11-05 revision:2.
0 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP30R06W1E3_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gat...

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