IGBT - Infineon
Description
DF100R07W1H5FP_B53
EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™DiodeundPressFIT/bereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™diodeandPressFIT/pre-appliedThermal InterfaceMaterial
J
TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A
TypicalApplications • Solarapplications
ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses
MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.
infineon.
com
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V3.
0 2017-04-06
DF100R07W1H5FP_B53
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C TH = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES
ICN
IC nom IC
ICRM
VGES
650
50 25 40 100
+/-20
V
A
A A
A
V...
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