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TDM3426B

Techcode
Part Number TDM3426B
Manufacturer Techcode
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Published Jan 4, 2020
Detailed Description T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3426B  uses  advanced  trench  technolog...
Datasheet PDF File TDM3426B PDF File

TDM3426B
TDM3426B

Overview
T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3426B  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.
  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.
  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.
5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    DATASHEET TDM3426B         ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Is(TC=25℃)  Continuous Drain Current (Note 1)  ID（TC=25℃）  Pulse Drain Current Tested  IDM（TA=25℃）  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  Maximum Power Dissipation  PD（TA=25℃）  PD（TA=70℃）  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient(t<10s)  RθJA  Maximum Operating Juncti...


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