TDM3432 Datasheet

TDM3432 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

The  TDM3432  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES     RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 3.1mΩ @ VGS=10V   High Power and cu.

Features

 
 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 3.1mΩ @ VGS=10V 
 High Power and current handling capability 
 Lead free product is available 
 Surface Mount Package  Application 
 PWM applications 
 Load switch 
 Power management    DATASHEET TDM3432     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Drain Current @ Continuous  ID（TA=25℃）  ID（TA=70℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  IDM（TC=25℃）  Drain Current @ Continuous  ID（TC=25℃）  ID（T.