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EMZB20P03L

Excelliance MOS
Part Number EMZB20P03L
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 27, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.)  24...
Datasheet PDF File EMZB20P03L PDF File

EMZB20P03L
EMZB20P03L

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.
)  24mΩ  ID  ‐8A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐10A, RG=25Ω L = 0.
05mH  Power Dissipation3  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMZB20P03L LIMITS  ±25  ‐8  ‐6  ‐32  ‐...


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