DatasheetsPDF.com

EMP16N04HS

Excelliance MOS
Part Number EMP16N04HS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  40V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMP16N04HS PDF File

EMP16N04HS
EMP16N04HS

Overview
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  40V  D RDSON (MAX.
)  1.
6mΩ  ID  100A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMP16N04HS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current1  Pulsed Drain Current2  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  100  100  400  Avalanche Current  IAS  85  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy3  L = 0.
1mH, ID=85A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  EAS  EAR  361  180  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperat...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)