DatasheetsPDF.com

EMB12P03G

Excelliance MOS
Part Number EMB12P03G
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)(V...
Datasheet PDF File EMB12P03G PDF File

EMB12P03G
EMB12P03G

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.
)(VGS=‐10V)  10mΩ  ID  ‐13A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB12P03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±25  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  ‐13  ‐10  ‐50  Avalanche Current  IAS  ‐15  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐15A, RG=25Ω L = 0.
05mH  EAS  EAR  11.
25  5.
62  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  2.
5  1  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.
1mH, VG=‐10V, IL=‐10A, Rated VDS=...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)