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EMB39P06CS

Excelliance MOS
Part Number EMB39P06CS
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐60V  D RDSON (MAX.)  ...
Datasheet PDF File EMB39P06CS PDF File

EMB39P06CS
EMB39P06CS

Overview
    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐60V  D RDSON (MAX.
)  41mΩ  ID  ‐26A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=‐20A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C TC = 100 °C Operating Junction & Storage Temperature Range VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RE...


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