DatasheetsPDF.com

EMB12K03GP

Excelliance MOS
Part Number EMB12K03GP
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual Asymmetric N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐...
Datasheet PDF File EMB12K03GP PDF File

EMB12K03GP
EMB12K03GP

Overview
    Dual Asymmetric N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.
)  15.
5mΩ  12.
5mΩ  ID  9A  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=10A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB12K03GP LIMITS  ±20  ±20  9  10  6  7  36  40  12  12  5  5  2.
5  2.
5  2  1.
1  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE...


Similar Datasheet


Since 2006. D4U Semicon,
Electronic Components Datasheet Search Site. (Privacy Policy & Contact)