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EMB12K03V

Excelliance MOS
Part Number EMB12K03V
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 26, 2017
Detailed Description     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS ...
Datasheet PDF File EMB12K03V PDF File

EMB12K03V
EMB12K03V


Overview
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  RDSON (MAX.
)  30V  12mΩ  30V  17mΩ  ID  12A  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB12K03V L...



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